压力变送器产品简介：
压力(表压) /绝对压力变送器，是以大气压(或真空)为参考端测量的压强信号，只有一个端口和工艺管道连接。
压力变送器工作原理：
硅单晶材料在受到外力作用产生极微小应变时，其内部原子结构的电子能级状态会发生变化，从而导致其电阻率剧烈变化,这种物理效应称为压阻效应。利用压阻效应原理，采用集成工艺技术经过掺杂、扩散，沿单晶硅片上的特定晶向，制成应变电阻，构成惠斯通电桥，就制成了一个集力敏与力电转换检测于体的扩散硅传感器。
当压力直接或间接的作用在测量硅片的表面，使膜片产生微小的形变，测量硅片形变的高精度电路将这个微小的形变变换成为与压力成正比的电压信号，经过温度压力补偿 ，然后采用专用芯片将这个电压信号转换为工业标准的4 -20mA电流信号或者1-5V电压信号。
由于测量膜片检测电路采用集成电路，内部包含线性及温度补偿电路，所以可以做到高精度和高稳定性，方便各种复杂的工业环境现场使用。
压力变送器技术性能
使用对象:液体、气体或蒸汽
测量范围:见选型规格表
输出信号:4~ 20mA dc.输出，叠加HART协议数字信号(两线制)
电源:外部供电24V dc.，电源范围12V ~ 45V
负载特性:
危险场所安装:隔爆型ExdIIBT5Gb ;
本安型xillCT4/T5/T6Ga;
迁移特性:在最小量程(量程压缩比为40:1)时，最大正迁移零点是39/40倍的量程上限值，最大负迁移零点可以是量程下限值，绝对压力变送器无负迁移。 (不管输出形式如何，正负迁移后,其量程上、下限均不得超过量程的极限)
温度范围:电子线路板工作在40 ~ 85°C ;敏感元件工作在40~ 104°C ;储存温度工作在-40~85°C ;带数字显示工作在-25~75°C(运行) ; -40~85°C (无损坏)
相对湿度: 0~95%
超压极限:最大能承受2~ 10倍的量程变送器不损坏
容积变化量:小于0.16cm3
阻尼:时间常数在0.2 ~ 32.0s之间可调。
技术指标
精 度: ±0.1%，±0.075%
稳定性:最大量程范围的+0.2%/12个月
温度影响:包括零点和量程的温度误差为最大量程的+0.2%/20°C
电源影响:小于输出量程的0.005% /V。
振动影响:在任意轴向上,频率为200Hz，误差为最大量程范围的±0.05%/g.
负载影响:只要输入变送器的电压高于12V，在负载工作区内无负载影响。
安装位置影响:最大可产生不大于0.10kPa的位误差，可通过校正消除这个误差，对量程无影响；测量本体相对法兰转动无影响。
注:在无迁移、316不锈钢隔离膜片及其他标准测试条件下。
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